東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，有很強(qiáng)的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國內(nèi)外眾多知名子、太陽能企業(yè)當(dāng)中，以較的價(jià)比，成功替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好評。
鍍膜離子源燈絲
東莞市鼎偉靶材有限公司
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公司主要經(jīng)營產(chǎn)品：
一、真空鍍膜材料
1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）
純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……
多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……
陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等…
稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等…
稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶
屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：
屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。
2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等…
氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等…
硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…
名稱
尺寸
純度
銀絲（Ag）
Φ0.2—1.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
Φ1.0—3.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3.0—6.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
銀片（Ag）
50*50*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
100*100*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
200*250*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
銀棒（Ag）
Φ（10-152.4）*1000mmT18937326747(不是聯(lián)系方式)
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ25.4*1000mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ50.8*500mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ76.2*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ101.6*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ127*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ152.4*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
銀粒（Ag）
1-10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ2*10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3*3mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3*10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ6*6mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ6*12mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
銀塊（Ag）
10-100mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
銀粉（Ag）
0.5-75um
99.5% 99.9% 99.95% 99.99%
標(biāo)準(zhǔn)裝為：100g 250g 500g 1000g 10kg 25kg 50kg
靶材的主要能要求:
純度
純度是靶材的主要能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘Ρ∧さ哪苡绊懞艽蟆２贿^在實(shí)際應(yīng)用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著子行業(yè)的迅速展，硅片尺寸由6”, 8“展到12”, 而布線寬度由0.5um減到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質(zhì)含量
靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合靶材，對堿屬含量和放射元素含量都有特殊要求。
【原創(chuàng)內(nèi)容】
是無氧銅，因?yàn)闊o氧銅有良好的導(dǎo)和導(dǎo)熱，而且比較容易機(jī)械加工。如果保養(yǎng)適當(dāng)，無氧銅背靶可以重復(fù)使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的況下，如導(dǎo)致在濺射過程中熱量無法散最終會造成靶材裂或脫靶為確保足夠的導(dǎo)熱，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射槍冷卻壁的要確保在靶材和濺射槍冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會造成靶材安裝時(shí)生裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱能就會受到很大的影響，屬鉬作為背靶材料。不銹鋼管(SST)–目前最常使用不銹鋼管作為旋轉(zhuǎn)靶材的背管，因?yàn)椴讳P鋼管有良好的強(qiáng)度和導(dǎo)熱而且非常經(jīng)濟(jì)二、背靶重復(fù)使用大部分背靶可以重復(fù)使用，尤其是采用屬銦進(jìn)行帖合的比較容易進(jìn)行清潔和重使用。如果是采用其他帖合劑（括環(huán)氧樹脂）則可能需要采用機(jī)械處理的方式對背靶表面處理后才能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶要確保在靶材和濺射槍冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會造成靶材安裝時(shí)生裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱能就會受到很大的影響，用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時(shí)/平方厘米。屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個(gè)合理的功率加大速率為需要進(jìn)行溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會使用屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用
