東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實驗室，有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國內(nèi)外眾多知名子、太陽能企業(yè)當(dāng)中，以較的價比，成功替代了國外進口產(chǎn)品，頗受用戶好評。

鼎偉鈷靶Co

公司主要經(jīng)營產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化T18919837845(不是聯(lián)系方式)釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

目前國內(nèi)外都在推廣應(yīng)用的旋轉(zhuǎn)圓柱磁控濺射靶是空心的圓管，它可圍繞固定的條狀磁鐵組件旋轉(zhuǎn)，其磁鐵排列的幾何形狀這樣靶面360度’"(都可被均勻刻蝕，靶材利用率達80%

磁控濺射鍍膜靶材  

  照形狀分可分為圓片靶，圓柱靶，臺階圓靶，矩形靶，薄片靶，臺階片靶，環(huán)狀靶，管狀靶。

  照材質(zhì)可分為：屬靶材、合靶材、陶瓷靶材等。 材料的純度照需求，可從99.9%到99.999%。

【原創(chuàng)內(nèi)容】
濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重暴露屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合用玻璃球拋丸法處理有污垢的部件同時用壓縮空氣qc腔體四周前期濺射剩余物，再用氧化鋁浸漬過的沙紙輕輕的對表面進行拋光。紗紙拋光后,再用酒精，和去離子水清洗，同濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重暴露屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合要確保在靶材和濺射槍冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會造成靶材安裝時生裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱能就會受到很大的影響，提供的已使用過的背靶后，我們會首先進行卸靶處理（如適用）并且對背靶進行wq檢查，檢查的重點括背靶的平整度，完整及密封等。我們會通知用戶對背靶的檢查結(jié)果，如物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量加，化合物生成率加。如果反應(yīng)氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量，氣體(氬氣或氧氣)必須清潔并干燥，濺鍍腔內(nèi)裝入基材后便需將空氣抽出，達到工藝所要求的真空度。暗區(qū)屏蔽罩，腔體壁及鄰近表面也需要保持潔凈。在清洗真空腔體時我們建議采需要進行溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會使用屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用