DTS-高頻高壓IGBT無感吸收電容器
IGBT模塊突波吸收,高頻、大電流、高脈沖線路 |
電氣特性: |
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電容量: 0.047μF to 5.6μF, 參考表格數(shù)據(jù) |
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材料特性:雙面金屬化聚丙烯(PP)薄膜 |
額定電壓: 700,850,1000,1200,1500,2000, |
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2500 ,3000VDC |
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封裝:阻燃工程塑膠外殼,阻燃環(huán)氧樹脂填充 |
損耗角正切: 測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃. |
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Cr≤1.5μF, 4×10-4; Cr>1.5μF, 7×10-4 |
尺寸:參考下載資料(可按客戶需求定制特殊規(guī)格) |
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF |
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測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃) |
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耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s,t25±5℃,1Min |
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工作溫度: -40~+85℃ |
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{zd0}許可環(huán)境溫度: +70℃ (額定功率、電流, |
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自然散熱條件下工作) |
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電容量對時間的變化 : -3% , |
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30,000 小時(有效電壓工作狀態(tài)), |
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或100,000 hours (額定電壓工作狀態(tài)) |
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