第一章LED襯底、外延片及芯片界定
1.1 LED襯底、外延片及芯片界定
1.2 報(bào)告研究單位與研究方法
1.2.1 研究單位介紹
1.2.2 研究方法概述
第二章LED襯底、外延片及芯片市場(chǎng)發(fā)展環(huán)境分析
2.1 LED行業(yè)管理規(guī)范
2.1.1 管理體制
2.1.2 發(fā)展政策及法規(guī)
2.1.3 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
2.1.4 發(fā)展規(guī)劃
2.2 國(guó)內(nèi)外宏觀經(jīng)濟(jì)走勢(shì)分析
2.2.1 國(guó)外宏觀經(jīng)濟(jì)走勢(shì)分析
2.2.2 國(guó)內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)走勢(shì)分析
2.2.3 宏觀經(jīng)濟(jì)對(duì)行業(yè)的影響
2.3 社會(huì)節(jié)能及照明環(huán)境分析
2.4 LED襯底、外延片及芯片技術(shù)發(fā)展分析
2.4.1 LED襯底專利分析
(1)專利數(shù)量分析
(2)專利申請(qǐng)人分析
2.4.2 LED外延片專利分析
(1)專利數(shù)量分析
(2)專利申請(qǐng)人分析
2.4.3 LED芯片專利分析
(1)專利數(shù)量分析
(2)專利申請(qǐng)人分析
第三章LED襯底、外延片及芯片產(chǎn)業(yè)鏈分析
3.1 LED產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及價(jià)值環(huán)節(jié)
3.1.1 LED產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
3.1.2 LED產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值環(huán)節(jié)
3.1.3 LED產(chǎn)業(yè)鏈投資情況
3.1.4 LED產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)格局
3.2 LED外延發(fā)光材料的選擇
3.2.1 LED發(fā)光技術(shù)的基礎(chǔ)
3.2.2 半導(dǎo)體能帶特征和外延材料選擇
(1)可見光波長(zhǎng)與外延半導(dǎo)體禁帶寬度的關(guān)系
(2)直接躍遷與間接躍遷
(3)外延材料選擇
3.3 LED襯底的選擇
3.3.1 LED襯底的選擇要求
3.3.2 四元系紅黃光LED的襯底選擇
(1)GaAs晶體的不可替代性
(2)GaAs襯底制造的競(jìng)爭(zhēng)情況
3.3.3 藍(lán)綠光LED襯底的選擇
(1)選擇藍(lán)寶石襯底的可行性
(2)藍(lán)寶石襯底的缺陷和改進(jìn)方法
(3)藍(lán)寶石襯底制造的競(jìng)爭(zhēng)情況
(4)藍(lán)寶石襯底新增投資及產(chǎn)能
(5)藍(lán)綠光LED襯底的其他選擇
第四章LED襯底、外延片及芯片行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景分析
4.1 LED芯片市場(chǎng)分析
4.1.1 LED芯片行業(yè)總產(chǎn)值分析
4.1.2 LED芯片制造成本分析
4.1.3 LED芯片市場(chǎng)價(jià)格分析
4.1.4 LED芯片指數(shù)
4.1.5 LED芯片細(xì)分產(chǎn)品市場(chǎng)分析
(1)GaN LED芯片市場(chǎng)分析
(2)四元LED芯片市場(chǎng)分析
(3)普亮LED芯片市場(chǎng)分析
4.1.6 LED芯片企業(yè)發(fā)展分析
(1)LED芯片企業(yè)總體數(shù)量
(2)LED芯片企業(yè)區(qū)域分布
(3)LED芯片企業(yè)產(chǎn)量情況
4.1.7 LED芯片產(chǎn)值區(qū)域分布
4.1.8 LED芯片行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景
4.2 LED外延片市場(chǎng)分析
4.2.1 外延片市場(chǎng)規(guī)模分析
4.2.2 外延片制造成本分析
4.2.3 外延片需求結(jié)構(gòu)分析
4.2.4 外延片發(fā)展前景分析
4.3 LED藍(lán)寶石襯底市場(chǎng)分析
4.3.1 藍(lán)寶石襯底市場(chǎng)規(guī)模分析
4.3.2 藍(lán)寶石襯底制造的競(jìng)爭(zhēng)情況
4.3.3 藍(lán)寶石襯底新增投資及產(chǎn)能
4.3.4 藍(lán)寶石襯底價(jià)格走勢(shì)分析
第五章LED襯底、外延片及芯片企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析
5.1 LED襯底、外延片及芯片企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況概述
5.2 LED襯底、外延片及芯片企業(yè)經(jīng)營(yíng)分析
5.2.1 天通控股股份有限公司經(jīng)營(yíng)情況分析
(1)企業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況分析
(2)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
(3)企業(yè)盈利能力分析
(4)企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
(5)企業(yè)償債能力分析
(6)企業(yè)發(fā)展能力分析
5.2.2 深圳市聚飛光電股份有限公司經(jīng)營(yíng)情況分析
(1)企業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況分析
(2)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
(3)企業(yè)盈利能力分析
(4)企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
(5)企業(yè)償債能力分析
(6)企業(yè)發(fā)展能力分析
5.2.3 三安光電股份有限公司經(jīng)營(yíng)情況分析
(1)企業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況分析
(2)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
(3)企業(yè)盈利能力分析
(4)企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
(5)企業(yè)償債能力分析
(6)企業(yè)發(fā)展能力分析
5.2.4 江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司經(jīng)營(yíng)情況分析
(1)企業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況分析
(2)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
(3)企業(yè)盈利能力分析
(4)企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
(5)企業(yè)償債能力分析
(6)企業(yè)發(fā)展能力分析
5.2.5 杭州士蘭微電子股份有限公司經(jīng)營(yíng)情況分析
(1)企業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況分析
(2)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
(3)企業(yè)盈利能力分析
(4)企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
(5)企業(yè)償債能力分析
(6)企業(yè)發(fā)展能力分析(BY ZX)
圖表目錄
圖表 1:LED襯底、外延片及芯片界定
圖表 2:中國(guó)LED行業(yè)相關(guān)政策及法規(guī)(一)
圖表 3:中國(guó)LED行業(yè)相關(guān)政策及法規(guī)(二)
圖表 4:我國(guó)LED行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一覽表(一)
圖表 5:我國(guó)LED行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一覽表(二)
圖表 6:我國(guó)LED行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一覽表(三)
圖表 7:《新材料產(chǎn)業(yè)“十四五”發(fā)展規(guī)劃》中LED相關(guān)項(xiàng)目
圖表 8:我國(guó)半導(dǎo)體照明“十四五”發(fā)展目標(biāo)
圖表 9:我國(guó)半導(dǎo)體照明“十四五”重點(diǎn)研究方向
圖表 10:2023年發(fā)達(dá)經(jīng)濟(jì)體增長(zhǎng)情況(單位:%)
圖表 11:2023年主要新興經(jīng)濟(jì)體增長(zhǎng)情況(單位:%)
圖表 12:2023年世界銀行和IMF對(duì)于世界主要經(jīng)濟(jì)體的預(yù)測(cè)(單位:%)
圖表 13:2017-2023年我國(guó)GDP增速(單位:%)
圖表 14:中國(guó)淘汰白熾燈路線一覽表
圖表 15:2017-2023年LED襯底相關(guān)專利申請(qǐng)數(shù)量變化圖(單位:個(gè))
圖表 16:LED襯底相關(guān)專利申請(qǐng)人構(gòu)成(單位:個(gè))
圖表 17:2017-2023年LED外延片相關(guān)專利申請(qǐng)數(shù)量變化圖(單位:個(gè))
圖表 18:LED外延片相關(guān)專利申請(qǐng)人構(gòu)成(單位:個(gè))
圖表 19:2017-2023年LED芯片相關(guān)專利申請(qǐng)數(shù)量變化圖(單位:個(gè))
圖表 20:LED芯片相關(guān)專利申請(qǐng)人構(gòu)成(單位:個(gè))
圖表 21:LED產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖(一)
圖表 22:LED產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖(二)
圖表 23:LED產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值曲線圖(單位:%)
圖表 24:LED產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)代表性企業(yè)
圖表 25:在半導(dǎo)體中與躍遷有關(guān)的三種光效應(yīng)
圖表 26:不同外延半導(dǎo)體的禁帶寬度以及對(duì)應(yīng)的光子波長(zhǎng)(單位:eV,μm)
圖表 27:直接和間接躍遷
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