科研實(shí)驗(yàn)專用氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料
產(chǎn)品介紹
氧化鎵(Ga2O3)別名是三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導(dǎo)體,Eg=4.9eV;不溶于水,微溶于熱酸或堿溶液,易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機(jī)酸;有α,β兩種變體,α型為白色菱形六面體,熔點(diǎn):1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導(dǎo)體材料制備。它是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料,在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ,被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器。
產(chǎn)品參數(shù)
中文名 氧化鎵 分子式 Ga2O3
分子量 187.44 熔點(diǎn) 1740℃
密度 5.88g/ml 純度 99.99%
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產(chǎn)品附件:發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器:多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備
質(zhì)量控制:嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝,采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段,分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度;可提供質(zhì)檢報告。
加工流程:熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測→包裝出庫