單晶硅是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。、
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據(jù)不wq統(tǒng)計，全球已建、在建和計劃建的300mm硅器件生產線約有40余條，主要分布在美國和我國臺灣等，僅我國臺灣就有20多條生產線，其次是日、韓、新及歐洲。%P世界半導體設備及材料協(xié)會（SEMI）的調查顯示，2004年和2005年，在所有的硅片生產設備中，投資在300mm生產線上的比例將分別為55%和62%，投資額也分別達到130.3億美元和184.1億美元，發(fā)展十分迅猛。而在1996年時，這一比重還僅僅是零。
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單晶硅與多晶硅是太陽能光伏晶硅組件的兩條技術路線，因晶格排列不同而區(qū)分為單晶、多晶。業(yè)內普遍的觀點認為，單晶硅具有發(fā)電量高的優(yōu)勢，但成本偏高。然而，最1新的數(shù)據(jù)顯示，兩者的電站綜合建造成本幾乎持平，并且，在后期運維方面，單晶硅具有一定優(yōu)勢。
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