進(jìn)入超凈間前,工人必須進(jìn)入吸塵室內(nèi)以吹走可能積聚的任何顆粒。硅晶片大多數(shù)生產(chǎn)型晶圓片都要經(jīng)過兩三次的拋光,拋光料是細(xì)漿或者拋光化合物。多數(shù)情況下,晶圓片僅僅是正面拋光,而300毫米的晶圓片需要雙面拋光。
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雙面拋光以外,拋光將使晶圓片的一面象鏡面一樣。拋光面用來生產(chǎn)電路,這面必須沒有任何突起、微紋、劃痕和殘留損傷。
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來自斯坦福的研究團(tuán)隊(duì)在舊金山舉行的一次科技會議上展示了這個電路。他們展示的技術(shù)進(jìn)步是迄今最能證明當(dāng)硅芯片尺寸達(dá)到物理極限時(shí),碳納米管可能會成為一種未來的替材料。
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