東莞市鼎偉靶材有限公司是專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專(zhuān)業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員和專(zhuān)業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，有很強(qiáng)的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名子、太陽(yáng)能企業(yè)當(dāng)中，以較的價(jià)比，成功替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶(hù)好評(píng)。
舊黃靶材回收，AU靶材
東莞市鼎偉靶材有限公司
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公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：
一、真空鍍膜材料
1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）
純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……
多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……
陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等…
稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等…
稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶
屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：
屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。
2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等…
氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等…
硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…
貴屬：、銀、鉑、釕、銠、鈀、鋨、銥
純：靶、粒、絲、極、片、粉
純度：3N 、3N5、4N、4N5、5NT18937326747(不是聯(lián)系方式)
規(guī)格：靶（平面圓靶，方靶，旋轉(zhuǎn)靶，臺(tái)階靶均可加工，規(guī)格戶(hù)要求定做） 粒（規(guī)格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規(guī)格定做）
絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規(guī)格定做）
片（根據(jù)戶(hù)要求定做）
粉（根據(jù)戶(hù)要求定做）
靶材的主要能要求:
純度
純度是靶材的主要能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘?duì)薄膜的能影響很大。不過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著子行業(yè)的迅速展，硅片尺寸由6”, 8“展到12”, 而布線寬度由0.5um減到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿(mǎn)足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對(duì)靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質(zhì)含量
靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合靶材，對(duì)堿屬含量和放射元素含量都有特殊要求。
【原創(chuàng)內(nèi)容】
第二步與{dy}步類(lèi)似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過(guò)后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無(wú)絨布”進(jìn)行濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射溝區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重暴露屬表面此消彼長(zhǎng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合直接影響真空度獲得和加成膜失敗的可能。短路或靶材起弧，成膜表面粗糙及化學(xué)雜質(zhì)含量超標(biāo)經(jīng)常是由于不潔凈的濺射室、濺射槍和靶材引起的。為保持鍍膜的成分特，濺射清潔。第四步在qc完有污垢的區(qū)域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)粒三、靶材安裝靶材安裝過(guò)程中最重要的意事項(xiàng)是一定用戶(hù)對(duì)背靶的檢查結(jié)果，如我們現(xiàn)有需要維修的地方會(huì)書(shū)面通知戶(hù)并提供維修報(bào)價(jià)。影響靶材中的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶中。反應(yīng)要確保在靶材和濺射槍冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會(huì)造成靶材安裝時(shí)生裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱能就會(huì)受到很大的影響，清潔。第四步在qc完有污垢的區(qū)域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)粒三、靶材安裝靶材安裝過(guò)程中最重要的意事項(xiàng)是一定是無(wú)氧銅，因?yàn)闊o(wú)氧銅有良好的導(dǎo)和導(dǎo)熱，而且比較容易機(jī)械加工。如果保養(yǎng)適當(dāng)，無(wú)氧銅背靶可以重復(fù)使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的況下，如
