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ASEMI高壓整流橋原理作用和高壓整流硅堆的參數(shù)解析!

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來(lái)源:qyxdx 發(fā)布時(shí)間:2017-07-04 瀏覽:1286
ASEMI高壓整流橋原理作用和高壓整流硅堆的參數(shù)解析!

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摘要 : 集成整流橋高壓整流技術(shù)的發(fā)展歷程,延續(xù)至今,是經(jīng)歷了怎樣的風(fēng)花雪月呢?點(diǎn)我加速!
集成整流橋高壓整流技術(shù)的發(fā)展歷程,延續(xù)至今,是經(jīng)歷了怎樣的風(fēng)花雪月呢? 高壓整流橋技術(shù)的發(fā)展歷程,高壓整流橋的發(fā)展經(jīng)歷了三代,ASEMI為您加速!



集成整流橋的發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段,下面我們來(lái)分別為大家講一下:


{dy}階段,整流橋的技術(shù)革新時(shí)代,2000年之后,整流橋的高壓需求變得越來(lái)越緊迫,同時(shí)

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,高壓技術(shù)的研究也取得了突破性的進(jìn)展,采用了新的工藝制造水

平,不僅使得成本大大降低,提高了高壓整流橋的普及率,而且芯片的性能也趨于穩(wěn)定,自

此之后,整流橋的耐壓普遍由400V以下,變?yōu)?000V以上甚至是1600V,可以直接接在家用電

源或者是工業(yè)電源上,而不需要再提供前端的變壓器



第二階段,技術(shù)革新之后,人們開(kāi)始寄希望于開(kāi)發(fā)出更高耐壓的二極管橋堆,同時(shí)隨著技術(shù)

的不斷改進(jìn),二極管芯片離散性一致的提高,人們開(kāi)始使用多個(gè)二個(gè)管串聯(lián)的方式開(kāi)來(lái)提高

整流橋堆產(chǎn)品的耐壓,當(dāng)然,這些都是建立在整流橋堆內(nèi)部芯片的可以保證一致的前提下,

整流橋的耐壓也提高到了近1W的耐壓。


第三階段,也就是2010年之后,研究人員發(fā)現(xiàn),技術(shù)上的改進(jìn)已無(wú)法使得普通的二極管獲得

更高的耐壓,而新材料的出現(xiàn)為高壓整流橋帶來(lái)了新的轉(zhuǎn)機(jī),這是目前所有人都在攻克的一

項(xiàng)技術(shù),雖然到目前為止,接近10000V的高壓二極管已經(jīng)出現(xiàn),但其高昂的成本,使得它暫

時(shí)無(wú)法廣泛應(yīng)用于現(xiàn)有的工業(yè)當(dāng)中,相信在不久的將來(lái),這一難題會(huì)得到根本的解決

鄭重聲明:資訊 【ASEMI高壓整流橋原理作用和高壓整流硅堆的參數(shù)解析!】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫(kù)www.nnfsds.com)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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