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英特爾推出的X25-M固態(tài)硬盤憑借優(yōu)異的性能表現(xiàn)一舉俘獲了諸多用戶的心。時隔一年，英特爾再次推出了第二代X25-MSSD固態(tài)硬盤，G2版X25-M基于新的34nm技術(shù)，所以容量也輕松翻倍，達到160GB。
英特爾X25-M 34納米G2固態(tài)硬盤外包裝內(nèi)部
英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤牛皮紙包裝盒，包裝內(nèi)部很簡單，只有一個透明塑料袋，產(chǎn)品置于其中，旁邊海綿保護以及說明書。
英特爾X25-M 34納米G2固態(tài)硬盤正面外觀
英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤使用銀色為主色調(diào)，正面具有產(chǎn)品詳細編號。英特爾X25-M34納米固態(tài)硬盤適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。與上一代相比，英特爾X25-M34納米160GB固態(tài)硬盤持續(xù)順序讀寫速度仍然分別為250MB/秒和70MB/秒，但延遲時間則提高到65納秒讀取和85納秒寫入。
英特爾X25-M 34納米G2固態(tài)硬盤背面外觀
英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤可以向下兼容當前的50納米版本，而且可以向下兼容并替代傳統(tǒng)硬盤（HDD）。英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤隨機寫入性能提高了兩倍，這讓X25-M遙遙{lx1}于同類SSD。X25-M的4KB寫入IOPS高達6600次，讀取IOPS也高達3.5萬次，為SSD樹立了新標準，與IOPS只有幾百次的HDD相比更是不可同日而語。
英特爾X25-M 34納米固態(tài)硬盤編號
英特爾X25-M 34納米G2固態(tài)硬盤編號非常繁雜，產(chǎn)地為中國，該產(chǎn)品采用了多層單元MLCNAND閃存芯片。英特爾X25-M34納米G2固態(tài)硬盤與上一代的50納米版本相比，不僅減少了延遲，而且顯著增加了隨機寫入輸入/輸出運算次數(shù)（IOPS）。
編輯評語：英特爾X25-MG2固態(tài)硬盤基于{zx1}的34納米制程工藝，采用MLCFlash閃存芯片，讀取速度達到200MB/S以上，性能叫{dy}代產(chǎn)品提升明顯。
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