廣告
25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 ATMEGA32A-AU
W25Q64JVSIQ
NUC029LAN
STM32F401RCT6
TPS54202DDCR
STM32F030RCT6
ATMEGA16A-AU
ATMEGA128A-AU
TPS3116D2DADR
另一種稱為動(dòng)態(tài)ram（dynamic ram/dram），dram保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比sram慢，不過(guò)它還是比的rom都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)dram相比sram要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是dram的。
dram
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這里介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進(jìn)型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存，而且它有著成本勢(shì)，事實(shí)上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來(lái)提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工，q3順利進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營(yíng)，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計(jì)劃于2014年q2送樣測(cè)試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí)，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。 C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6
