ASE50N06-ASEMI低壓N溝道MOS管ASE50N06

作者：深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司來源：asemi888 發(fā)布時(shí)間：2023-02-21 瀏覽：21

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型號：ASE50N06

品牌：ASEMI

封裝：TO-252

大漏源電流：50A

漏源擊穿電壓：60V

RDS（ON）Max：5.8mΩ

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時(shí)間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：低壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~175℃

ASE50N06場效應(yīng)管

ASE50N06的電性參數(shù)：大漏源電流50A；漏源擊穿電壓60V

特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴(kuò)展安操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=60V，Id=50A

RDS（開）:0.15m? （大值）@VG=10V

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