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ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10

作者：深圳市強元芯電子有限公司 來源：asemi888 發(fā)布時間：2023-02-14 瀏覽：14
ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10

編輯：ll

ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10

型號：ASE60N10

品牌：ASEMI

封裝：TO-263

大漏源電流：60A

漏源擊穿電壓：100V

RDS（ON）Max：17Ω

引腳數量：3

芯片個數：

溝道類型：N溝道MOS管、中低壓MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場效應管

工作溫度：-55℃~175℃

備受歡迎的ASE60N10 MOS管

  ASEMI品牌ASE60N10是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了ASE60N10的大漏源電流60A，漏源擊穿電壓100V.

?細節(jié)體現(xiàn)差距

ASE60N10,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強。

ASE60N10具體參數為：大漏源電流：60A，漏源擊穿電壓：100V，反向恢復時間： ns，封裝：TO-263


鄭重聲明：資訊 【ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10】由 深圳市強元芯電子有限公司 發(fā)布，版權歸原作者及其所在單位，其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內容未經(企業(yè)庫www.nnfsds.com)證實，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。若本文有侵犯到您的版權， 請你提供相關證明及申請并與我們聯(lián)系（qiyeku # qq.com）或【在線投訴】，我們審核后將會盡快處理。
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