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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電把萬用表的黑表筆（表內(nèi)正 ）搭觸二 管的正 ，，紅表筆（表內(nèi)負 ）搭觸二 管的負 。若表針不擺到0值而是停在標度盤的中間，這時的阻值就是二 管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。若正向電阻為0值，說明管芯短路損壞，若正向電阻接近無窮大值，說明管芯斷路。短路和斷路的管子都不能使用。
2、反向特性測試
把萬且表的紅表筆搭觸二 管的正 ，黑表筆搭觸二 管的負 ，若表針指在無窮大值或接近無窮大值，管子就是合格的。
二 管的應(yīng)用
1、整流二 管
利用二 管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。
2、開關(guān)元件
二 管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。利用二 管的開關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。
3、限幅元件
二 管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈３植蛔儯ü韫転?.7v，鍺管為0.3v）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度在一定范圍內(nèi)。
4、繼流二 管
在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。
5、檢波二 管
在收音機中起檢波作用。
6、變?nèi)荻?管
使用于電視機的中。
flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，flash的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設(shè)計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了?，F(xiàn)在的單片機,ram主要是做運行時數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導(dǎo)體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計算機的內(nèi)存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：VNB35NV04-E VND14NV04TR-E STD15P6F6AG STF11N65M2 STB36NM60N STB33N60DM2 STDS75DS2F STP7N65M2 STP12N60M2 STP220N6F7 STP23NM50N STP7N60M2 STU12N60M2 STW13N60M2 STW20N65M5 STW35N60DM2 STW36NM60ND STW56N60DM2 STW72N60DM2AG STY105NM50N TN1215-600H STB18N65M5 STB24NM60N STB28NM50N