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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電電子元器件ti、at、長(zhǎng)電芯片識(shí)別真假的方法后，本期再迎來(lái)美信芯片的識(shí)別方法，以max485esa+t為例，可以從以下幾點(diǎn)辨別真假：
原裝盒子字體打印清晰，中間手指的指甲線條較細(xì)，非原裝手指圖案中間的線條稍粗；
標(biāo)簽上美信的logo，“m”字下方三角形較立體，并且字母后面小字母標(biāo)注類似tta，非原裝logo “m”字下方類似三角形，字母后面的小字母類似tm；
原裝膠盤(pán)上每個(gè)小孔內(nèi)字體較暗，效果不會(huì)明顯，非原裝較強(qiáng)；
原裝帶子保護(hù)膜呈乳白色，保護(hù)膜與芯片不會(huì)壓的緊，非原裝完呈透明狀態(tài)；
芯片上絲印字體大小均勻清晰，定位孔大小 一致，管腳無(wú)打磨，非原裝打磨可能會(huì)較明顯。
東芝（toshiba）以2009年開(kāi)發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開(kāi)始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工，q3順利進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營(yíng)，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計(jì)劃于2014年q2送樣測(cè)試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí)，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。 TLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR
