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60N10-ASEMI高壓MOS管60N10

作者:深圳市強元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時間:2022-06-23 瀏覽:57
60N10-ASEMI高壓MOS管60N10

編輯:ll

60N10-ASEMI高壓MOS60N10

型號:60N10

品牌:ASEMI

封裝:TO-263

漏源電流:60A

漏源擊穿電壓:100V

RDSONMax0.24Ω

引腳數(shù)量:3

溝道類型:N溝道MOS

芯片尺寸:MIL

漏電流:

恢復(fù)時間:5ns

芯片材質(zhì):

封裝尺寸:如圖

特性:高壓MOS

工作結(jié)溫-55℃~150℃

60N10場效應(yīng)管

60N10的電性參數(shù):漏源電流60A;漏源擊穿電壓100V

鄭重聲明:資訊 【60N10-ASEMI高壓MOS管60N10】由 深圳市強元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.nnfsds.com)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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