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60N10-ASEMI高壓MOS管60N10
型號:60N10
品牌:ASEMI
封裝:TO-263
漏源電流:60A
漏源擊穿電壓:100V
RDS(ON)Max:0.24Ω
引腳數(shù)量:3
溝道類型:N溝道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏電流:
恢復(fù)時間:5ns
芯片材質(zhì):
封裝尺寸:如圖
特性:高壓MOS管
工作結(jié)溫:-55℃~150℃
60N10場效應(yīng)管
60N10的電性參數(shù):漏源電流60A;漏源擊穿電壓100V