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MOS管測試儀/設備/系統(tǒng)
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MOS管測試儀/設備/系統(tǒng)

MOS管測試儀/設備/系統(tǒng) 相關(guān)信息由 深圳市華科智源科技有限公司提供。如需了解更詳細的 MOS管測試儀/設備/系統(tǒng) 的信息,請點擊 http://www.nnfsds.com/b2b/hustec.html 查看 深圳市華科智源科技有限公司 的詳細聯(lián)系方式。

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深圳市華科智源科技有限公司
深圳市寶安區(qū)航城街道恒豐工業(yè)城C4棟816
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深圳市華科智源科技有限公司

深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測試設備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等,客戶行業(yè)涉及軌道交通,地鐵,電驅(qū)動,新能源汽車,風力發(fā)電,變頻器,家電等領(lǐng)域;華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠流長;華科智源公司核心團隊由華中科技大學,復旦大學等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導體事業(yè),積極響應國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導體測試設備國產(chǎn)化。
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華科智源hustec-1600a-mt靜態(tài)參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 igbt測試,還可以測量大功率二極管 、igbt模塊,大功率 igbt、大功率雙極型晶體管,mos管等器件的 v-i 特性測試,測試1200a可擴展至2000a,5000v以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發(fā)電,變頻器,焊機行業(yè)的igbt來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現(xiàn)在線igbt檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 igbt 的靜態(tài)參數(shù)測試;

測試參數(shù):

ices 集電極-發(fā)射極漏電流

igesf 正向柵極漏電流

igesr 反向柵極漏電流

bvces 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

vgeth 柵極-發(fā)射極閾值電壓

vcesat 集電極-發(fā)射極飽和電壓

icon 通態(tài)電極電流

vgeon 通態(tài)柵極電壓

vf 二極管正向?qū)▔航?

整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用


1)物理規(guī)格

設備尺寸:500寬x 450深x 250高mm;

:30kg

2)環(huán)境要求

海拔高度:海拔不超過1000m;

儲存環(huán)境:-20℃~50℃;

工作環(huán)境:15℃~40℃。

相對濕度:20%rh ~ 85%rh;

壓力:86kpa~106kpa。

防護:無較大灰塵,腐蝕性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;

3)水電氣用電要求:ac220v,±10%;

電網(wǎng)頻率:50hz±1hz

鄭重聲明:產(chǎn)品 【MOS管測試儀/設備/系統(tǒng)】由 深圳市華科智源科技有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.nnfsds.com)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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