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AP50N06 N溝道 60V (D-S) MOSFET NMOS低側(cè)驅(qū)動(dòng)器
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深圳市世微半導(dǎo)體有限公司

深圳市世微半導(dǎo)體有限公司是一家專業(yè)從事專用模擬集成電路芯片產(chǎn)品的研制、開發(fā)和銷售的高新技術(shù)企業(yè),現(xiàn)已成功設(shè)計(jì)生產(chǎn)出幾十種集成電路產(chǎn)品。主要生產(chǎn)的產(chǎn)品包括:電源IC、DC/DC升壓芯片、DC/DC降壓IC、太陽能草坪燈IC、手電筒功能IC、邏輯IC、LDO穩(wěn)壓IC、帶使能端LDO、射燈IC、日光燈IC,LED升壓/降壓恒流驅(qū)動(dòng)IC,車燈驅(qū)動(dòng)IC,太陽能驅(qū)動(dòng)IC,復(fù)位IC,鋰電充電管理IC,鋰電保護(hù)IC,MOS管,MCU
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GENERAL DESCRIPTION
The AP50N06 is the N-Channel logic enhancement mode power
field effect transistors are produced using high cell density DMOS
trench technology. This high density process is especially tailored to
minimize on-state resistance. These devices are particularly suited
for low voltage application such as LCD inverter, computer power
management and DC to DC converter circuits which need low in-line
power loss.
FEATURES
● RDS(ON)≦ m?@VGS=10V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current
capability
APPLICATIONS
● Power Management
● DC/DC Converter
● LCD TV & Monitor Display inverter
● CCFL inverter

● Secondary Synchronous Rectification

鄭重聲明:產(chǎn)品 【AP50N06 N溝道 60V (D-S) MOSFET NMOS低側(cè)驅(qū)動(dòng)器】由 深圳市世微半導(dǎo)體有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.nnfsds.com)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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