在眾多軟開關(guān)的方案中，比較實用的有大功率的全橋變換器，通常采用移相零電壓開關(guān)的控制  

方式，這種控制方式要求在初級側(cè)需附加一續(xù)流電感以確保開關(guān)管在零電壓狀態(tài)下導(dǎo)通，由于較大的有效值電流流過，這個附加電感將發(fā)熱(盡管比RC緩沖電路小得多)，因而在低壓功率變換中并不采用。  

無源無損耗緩沖電路的特點是不破壞常規(guī)PWM控制方式，設(shè)計/調(diào)試簡單。盡管如此，無源無損耗緩沖電路和準(zhǔn)諧振/零電壓開關(guān)工作方式也存在一些缺點，如僅能實現(xiàn)關(guān)斷軟開關(guān)以及在反激式變換器中不太適于大負載范圍變化。軟開關(guān)中有源箝位是提高單管正/反激變換器效率的有效方法，最初的專利限制現(xiàn)在已失效，可以普遍應(yīng)用。  

功率半導(dǎo)體器件的進步：{gx}率功率變換的根本 

功率半導(dǎo)體器件的進步特別是PowerMOSFET的進步引發(fā)出功率變換的一系列的進步：PowerMOSFET的極快的開關(guān)速度，使開關(guān)電源的開關(guān)頻率從雙極晶體管的20kHz提高到100kHz以上，有效地減小了無源儲能元件(電感、電容)的體積。低壓PowerMOSFET使低壓同步整流成為現(xiàn)實，器件的導(dǎo)通電壓從肖特基二極管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V甚至更低，使低壓整流器的效率至少提高了10%。高壓PowerMOSFET的導(dǎo)通壓降和開關(guān)特性的改善，提高了開關(guān)電源的初級效率。功率半導(dǎo)體器件的功耗的降低也使散熱器和整機的體積減小。