拋光過程分為兩個步驟，切削和最終拋光。這兩步都要用到拋光墊和拋光漿。切削過程是去除硅上薄薄的一層，以生產(chǎn)出表面沒有損傷的晶圓片。最終拋光并不去除任何物質(zhì)，只是從拋光表面去除切削過程中產(chǎn)生的微坑。

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硅屬于半導體材料，其自身的導電性并不是很好。然而，可以通過添加適當?shù)膿诫s劑來控制它的電阻率。制造半導體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片(wafer)。這要從硅錠的生長開始。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個材料。

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硅芯管特點：其內(nèi)壁的硅芯層是固體的，潤滑劑；洗管道。

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