150度存儲(chǔ)器EEPROM

我司供應(yīng)如下高溫產(chǎn)品：

150度175度高溫晶振，150度高溫單片機(jī)，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲(chǔ)器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運(yùn)放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。

地址總線測試:在確認(rèn)數(shù)據(jù)總線工作正常之后，你應(yīng)該接著測試地址總線。記住地址總線的問題將導(dǎo)致存儲(chǔ)器位置的重疊。有很多可能重疊的地址。然而，不必要測試每一個(gè)可能的組合。你應(yīng)該努力在測試過程中分離每一個(gè)地址位。你只需要確認(rèn)每一個(gè)地址線的管腳都可以被設(shè)置成0和 1，而不影響其他的管腳。

150度EEPROM存儲(chǔ)器

我司供應(yīng)如下高溫產(chǎn)品：

150度175度高溫晶振，150度高溫單片機(jī)，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲(chǔ)器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運(yùn)放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。

雙倍數(shù)據(jù)速率1 存儲(chǔ)器 (DDR1)第1雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器采用薄型小尺寸封裝 (TSOP) 或球形網(wǎng)格陣列 (BGA)封裝。雙倍數(shù)據(jù)速率1 存儲(chǔ)器 (DDR1) 提供高 400 兆赫(MHz)的傳輸速率，存儲(chǔ)容量從 256 兆比特到 1 千兆比特。雙倍數(shù)據(jù)速率1 存儲(chǔ)器 (DDR1) 存儲(chǔ)器需 2.5V的電壓及4,8,16 或 32比特的總線帶寬。與雙倍數(shù)據(jù)速率 2 存儲(chǔ)器 (DDR2) 的區(qū)別： 雙倍數(shù)據(jù)速率1 存儲(chǔ)器 (DDR1) 存取和等待時(shí)間較短。

150度25LC系列存儲(chǔ)器

我司供應(yīng)如下高溫產(chǎn)品：

150度175度高溫晶振，150度高溫單片機(jī)，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲(chǔ)器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運(yùn)放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。

移動(dòng)同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 (Mobile SDRAM)：存儲(chǔ)組件運(yùn)行和待機(jī)電流非常低而容量卻很大，。移動(dòng)同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 (Mobile SDRAM) 可與傳統(tǒng)的同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 (SDRAM) 兼容，非常適用于 移動(dòng)通訊設(shè)備。工作電壓：3.3伏，2.5伏甚至低至與移動(dòng)雙倍數(shù)據(jù)速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器使用較為節(jié)省空間的球形網(wǎng)格陣列 (BGA) 進(jìn)行封裝，接觸區(qū)域 在其下面。