三菱變頻器ATV312HU40N4

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 1)功率場效應(yīng)管(MOSFET)    根據(jù)門極電壓的電場效應(yīng)進(jìn)行導(dǎo)通與關(guān)斷的單極晶體管。具有自關(guān)斷能力強、驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)寬等。用于小容量變頻器中。

2)電力晶體管(GTR) 主要特點：

     輸出電壓 可以采用脈寬調(diào)制方式

      載波頻率 較低（開關(guān)時間較長）1.2-1.5KHZ

      電流波形 高次諧波成分較大，噪聲大。

      輸出轉(zhuǎn)矩 與工頻運行時相比，略有下降

3)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)   集GTR和P-MOSFET的優(yōu)點于一身，具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、驅(qū)動電路簡單、通態(tài)電壓低、能承受高電壓大電流等優(yōu)點。目前中小容量變頻器新產(chǎn)品中都采用它。適于高壓的為HV-IGBT。

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