東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純金屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級(jí)專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，有很強(qiáng)的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名子、太陽能企業(yè)當(dāng)中，以較的價(jià)比，成功替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好評(píng)。

通化AU靶材

東莞市鼎偉靶材有限公司

聯(lián)系人：肖先生

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公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

 

多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

 

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

 

稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

金屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

金屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

 

2．純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

金靶(Au)

名稱

尺寸

純度

金絲（Au）

Φ0.001mm—1.0mm

99.99% 99.995% 99.999%

金絲（Au）

Φ1.0mm—3.0mm

99.99% 99.995% 99.999%

金粒（Au）

Φ2*5mm or Φ2*10mm

99.99% 99.995% 99.999%

金粒（Au）

Φ3*3mm or Φ3*5mm

99.99% 99.995% 99.999%

金片（Au）

T 0.10mm—T 2mm

99.99% 99.995% 99.999%

金粉（Au）T18937326747(不是聯(lián)系方式)

0.01um—1.0um 1-5um -200目 -325目

99.99%

標(biāo)準(zhǔn)裝為：100g 250g 500g 1000g 10kg 25kg 50kg

 

半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材是靶材市場(chǎng)的主要組 成之一。在1991年的靶材市場(chǎng)銷售額中，有約’"60%為半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材，35%用于記錄介質(zhì)領(lǐng) 域，5%為顯示領(lǐng)域用靶材及其他。近年來，半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材以近10%的年長(zhǎng)率長(zhǎng)［ 在硅片制成各種晶體管、二極管等元器件后，根據(jù)路設(shè)計(jì)要求，將這些元器件用金屬薄膜線條連接起來，形成有各種功能的集成路的工藝稱為金屬化。金屬化工藝是硅集成路制造工藝中非常重要的環(huán)節(jié)。金屬化系統(tǒng)和金屬化工藝的優(yōu)劣 會(huì)影響路的能和可靠。

氧化鋯陶瓷        

濺射靶材          

黃金靶材    

工業(yè)陶瓷       

靶材廠家      

靶材          

氧化鋯陶瓷棒      

機(jī)械陶瓷配件  

子槍燈絲         

 

 

【原創(chuàng)內(nèi)容】
是無氧銅，因?yàn)闊o氧銅有良好的導(dǎo)和導(dǎo)熱，而且比較容易機(jī)械加工。如果保養(yǎng)適當(dāng)，無氧銅背靶可以重復(fù)使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的況下，如需要進(jìn)行溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會(huì)使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量加，化合物生成率加。如果反應(yīng)氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量，

大部分背靶可以重復(fù)使用，尤其是采用金屬銦進(jìn)行帖合的比較容易進(jìn)行清潔和重使用。如果是采用其他帖合劑（括環(huán)氧樹脂）則可能需要采用機(jī)械處理的方式對(duì)背靶表面處理后才 

平整度，同時(shí)確保O型密封圈始終在位置。四、短路及密封檢查靶材完成安裝后需要對(duì)整個(gè)陰極進(jìn)行短路檢查及密封檢查，建議通過使用阻儀搖表的方式對(duì)陰極是否存在短提供的已使用過的背靶后，我們會(huì)首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對(duì)背靶進(jìn)行wq檢查，檢查的重點(diǎn)括背靶的平整度，完整及密封等。我們會(huì)通知用戶對(duì)背靶的檢查結(jié)果，如和背靶避免在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過程中生損壞。一、濺射準(zhǔn)備保持真空腔體尤其是濺射系統(tǒng)潔凈是非常重要的。任何由潤(rùn)滑油和灰塵以及前期鍍膜所形成的殘留物會(huì)收集水氣及其他污染物，時(shí)建議使用工業(yè)吸塵器進(jìn)行輔助清潔。展金屬生產(chǎn)的靶材采用真空密封塑料袋裝,內(nèi)置防潮劑。使用靶材時(shí)請(qǐng)不要用手直接接觸靶材。意：使用靶材時(shí)請(qǐng)配帶干凈而且不會(huì)起絨