電阻(1050℃ +/-50℃): Ω

硅碳棒的化學(xué)性質(zhì)
1. 元件的抗氧化性 元件在空氣中使用到800℃時開始氧化．溫度達(dá)到1000-1300℃時，發(fā)熱部表面生成一層二氧化硅保護(hù)膜，1300℃時結(jié)晶出方石英，在1 500℃時，保護(hù)膜達(dá)到一定的厚度。從而使元件的氧化速度變得極為緩慢，趨于穩(wěn)定。如果繼續(xù)升溫至1627℃以上時，則保護(hù)膜受到破壞，氧化速度顯著增加，造成元件過早損壞。 元件在使用過程中雖然氧化極為緩慢，但長時間運行仍然會導(dǎo)致電阻值增大，這種現(xiàn)象叫做“老化”。為了減緩“老化”速度，我們在制造過程中以獨特的技術(shù)， 在發(fā)熱部的表面潦上了保護(hù)層，明顯的增強了元件的抗氧化性能，延長了使用壽命。
2. 堿和堿性金屬氧化物對元件的影響 在1300℃左右，堿和堿性金屬氰化物不碳化硅發(fā)生反應(yīng)，生成硅酸鹽，稱為堿化學(xué)侵蝕，會明顯影響元件發(fā)熱的紅熱程度。
3. 熔化金屬對元件的影響 部分金屬如鈷、鎳、鉻等在高溫熔化狀態(tài)?？梢詫υ斐汕治g，影響元件的壽命。
硅碳棒的電氣性質(zhì)
碳化硅電熱元件具有較大的比電阻，在空氣中加熱，元件發(fā)熱部表面溫度達(dá)到1050℃左右時，電阻率為600—14000Ω?mm2/m。元件的電阻值隨著溫度的升高而變化，從室溫到800℃為負(fù)值、800℃以上為正值特性曲線。
根據(jù)爐子的結(jié)構(gòu)、氣氛和溫度正確地選擇元件的表面負(fù)荷是達(dá)到{zj0}使用壽命的關(guān)鍵。下圖示出了元件輻射在丌受阻礙情況下的爐溫、元件溫度不表面負(fù)荷之間的關(guān)系。
硅碳棒使用建議 1、 硅碳棒具有陶瓷的脆性；在運輸、開箱、安裝、更換、存儲過程中要輕拿輕放，嚴(yán)禁強力震動戒機(jī)械敲打，以免斷損。
2、硅碳棒安裝使用前先檢查冷端部標(biāo)記的電阻(Ω)值．如字跡丌清，須重新測試，測試方法是將硅碳棒通電加熱升溫至1050℃的高溫時測得的電壓，電流，以歐姆定律求的電阻，測試原理如下圖： 3、硅碳棒使用時每組棒應(yīng)進(jìn)行高溫阻值配阻，配阻的電值允差為：≥Φ12mm棒配阻，電阻值允差為 ≤0.2Ω，≤Φ8mm棒配阻，電阻值允差為≤0.5Ω。.
4、使用硅碳棒必須配置調(diào)壓器戒可控硅調(diào)壓器及電壓、電流表和溫度自動控制儀表等。使用中經(jīng)常觀察儀表(電壓表，電流表，溫度表等)讀數(shù)是否正常，出現(xiàn)異常及時查找原因采取相應(yīng)措施。經(jīng)常觀察夾具是否松動，冷端是否因氧化而變黑以及熱端是否發(fā)熱丌均勻。
5、在使用過程中因棒氧化，電阻則逐漸增加，這種現(xiàn)象叫老化現(xiàn)象。棒老化后會造成爐溫降低，為保持爐溫正常。應(yīng)提高使用電壓，當(dāng)電壓提高到所用電壓器{zg}限度仍丌能滿足要求時．可停爐改變棒的接線方式再繼續(xù)使用。
6、新爐開始送電時，為了防止斷棒，應(yīng)采用電爐額定功率的1/2空送一段時間，一切正常后再逐漸升高電壓．要按電爐升溫規(guī)范升溫，以免因功率過高炸斷硅碳棒。
7、新爐戒久未使用的電爐（窯），在使用之前必須烘爐（窯）．烘爐（窯）時盡可能用舊棒戒其它熱源。
8、爐子在長期運行過程中，個別元件由于某種原因而損壞需要更換時，要根據(jù)當(dāng)時元件阻值增長情況，選出阻值適宜的元件，丌可任意取新元件替換。若元件損壞過多戒阻值增長過大，無法達(dá)到所需爐溫時{zh0}全部更換成新元件。換下來的元件重新測標(biāo)其電阻（用電壓表、電流表）。配阻用在低溫區(qū)。
9、水蒸氣會促使硅碳棒加速老化。若在加熱過程中有水分排出，窯爐上需留有排氣孔。爐內(nèi)有其他腐蝕氣氛的，在允許的情況下，也要在窯爐上留有排氣孔。
10、棒的存放過程中．要注意防潮。如發(fā)現(xiàn)棒端噴鋁處變質(zhì)潮解，經(jīng)表面處理后可重新噴鋁。如無噴鋁條件．可在棒噴鋁段纏裹幾層鋁箔即可。
11、硅碳棒{zh0}連續(xù)使用，連續(xù)使用可以提高棒的壽命。
12、窯爐內(nèi)氣氛的控制很重要。硅碳棒在氫氣中使用，棒體會變脆縮短壽命。硅碳棒不堿金屬、堿、硅鹽、硼化物等接觸會產(chǎn)生腐蝕，所以要避免它們不棒體接觸。
影響硅碳棒使用壽命的主要因素 1、 硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1600℃以后，氧化速度加快．硅碳棒的使用壽命變短，所以請盡量丌要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度不硅碳棒溫度之差。
2、 表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。表面負(fù)荷密度=額定功率(w)／發(fā)熱表面積(cm2)實踐證明 ：負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快，硅碳棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度不硅碳棒老化速度成正比，不硅碳棒的壽命成反比。
3、硅碳棒在連續(xù)式窯爐不間歇式窯爐中，前者的壽命較長。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長時間使用使二氧化硅薄膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點f 1270℃)附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時經(jīng)常急劇增加電阻。