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 SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

                         

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