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       SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

 主要有：

1. 存儲(chǔ)容量： 存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時(shí)間：從啟動(dòng)讀(寫(xiě))操作到操作完成的時(shí)間

3. 存取周期：兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需間隔的最小時(shí)間

4. 平均故障間隔時(shí)間MTBF（可靠性）

5. 功耗：動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗



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