◆ TO-220、1mm* 14mm*20mm 1mm*12mm*18mm ◆ TO- 3P、 1mm*20mm*25mm 0.635mm*20mm*25mm ◆ TO-264、1mm*22mm*28mm 0.635mm*22mm*28mm ◆ T0-247、1mm*17mm*22mm 0.635mm*17mm*22mm 1mm*140mm*190mm 0.635mm*140mm*190mm 1mm*115mm*115mm 1mm*100mm*100mm AIN氮化鋁,晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系?；瘜W組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。 性能指標 ?(1)熱導率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上； ?(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； ?(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良； ?(4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結； ?(5)光傳輸特性好； ?(6)md； AlN陶瓷基片主要性能指標 性能內(nèi)容 性能指標 熱導率(W/m·k） ≥170 體積電阻率（Ω·cm） ＞1013 介電常數(shù)[1MHz,25℃] 9 介電損耗[1MHz,25℃] 3.8х10-4 抗電強度(KV/mm) 17 體積密度（g/cm3） ≥3.30 表面粗糙度Ra(μm) 0.3~0.5 熱膨脹系數(shù)[20℃ to 300℃](10-6/℃) 4.6 抗彎強度(MPa) 320~330 彈性模量(GPa) 310~320 莫氏硬度 8 吸水率(%) 0 翹曲度(~/25(長度)) 0.03~0.05 熔點 2500 外觀/顏色 灰白色 注：1.表面光潔度經(jīng)拋光處理后，Ra≤0.1μm； 2.產(chǎn)品各向尺寸精度通過激光劃線保證，最小值±0.10mm； 3.特殊規(guī)格產(chǎn)品可按客戶要求定制生產(chǎn)。 氮化鋁陶瓷片(也叫薄膜金屬化基板)廣泛應用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等。 深圳嘉龍微電子有限公司 公司電話：0755-89814655 公司傳真：0755-33902882 郵箱：sales@ 網(wǎng)址：