MO源未來(lái)的發(fā)展。針對(duì)剛才三個(gè)不足之處,特別對(duì)于水氧的敏感,如何降低對(duì)水和氧的敏感。因?yàn)橹車(chē)齻€(gè)甲基,周?chē)挥辛鶄€(gè)電子,有接觸電子的能力,這個(gè)性質(zhì)不是非常穩(wěn)定。因?yàn)樵谠刂車(chē)_(dá)到八個(gè)電子是比較穩(wěn)定的。采用一些孤電子,像胺、膦。這個(gè)表當(dāng)中列出來(lái)的,比如說(shuō)像這樣的MO源,通過(guò)有孤類(lèi)電子的膦,降低它的活性。
二是降低碳沾污,將三甲基鎵、三甲基銦、三甲基鋁等分子中的甲基替換成異丙基或叔丁基。
三是改進(jìn)固體三甲基銦源蒸氣壓的措施。改變封裝容器的結(jié)構(gòu),配置成溶液銦源。制備業(yè)態(tài)銦源。
四是采用單一的MO源?,F(xiàn)在大家也知道我們的MOCVD是用三甲基鎵和氨氣進(jìn)行反應(yīng),現(xiàn)在氨氣用量是非常大的,這么大量的消耗,而MO的消耗通常只有3公斤這樣的水平已經(jīng)是比較多了,而氨氣,在3公斤MO的情況下面需要1.5噸,所以這兩個(gè)比例是非常不協(xié)調(diào)的。將來(lái)可能采用單一的MO源,就是在一個(gè)MO當(dāng)中,就是不需要使用那么多氨氣的消化。