供應(yīng)激光二極管650nm 10mw
型號(hào)：QL65F6SA-L
激光二極管品牌：QSI
輸出波長(zhǎng):650nm
功率：10mw
溫度：-10~40度
儲(chǔ)存溫度：-40~85
類(lèi)型：量子阱/QW型
半導(dǎo)體材料：砷化鎵
外形尺寸：5.6mm
使用范圍：激光指揮棒（Laser Pointer）；
條形碼閱讀器，條形碼閱讀機(jī)（ Bar Code Reader）；
激光模組 （laser module）
備注：此款為低電流款，{zd0}電流25MA
隨著產(chǎn)品的不斷成熟和新產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn)，激光二極管被越來(lái)越多地作為下一代高科技行業(yè)的核心器件，目前，激光二極管的應(yīng)用迅速延伸到三維立體游戲、智能界面,jy雷達(dá),激光全色顯示，智能自動(dòng)駕駛、下一代光存儲(chǔ)等領(lǐng)域。
半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品主要包括：半導(dǎo)體激光器、激光準(zhǔn)直光源、激光平行光管、激光標(biāo)線儀，光學(xué)透鏡、激光功率計(jì)等。半導(dǎo)體激光器主要包括綠光(532nm)系列激光器、紅光(635nm、650nm、780nm)系列激光器和紅外(808nm、905nm)系列激光器。
半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料,故稱(chēng)為半導(dǎo)體，典型的半導(dǎo)體材料有硅(Si) 鍺、 (Ge)、硒(Se)、砷化鎵(GaAs)及許多金屬氧化物和金屬硫化物等。半導(dǎo)體具有以下特性：
(1)熱敏特性：當(dāng)半導(dǎo)體受熱時(shí)，電阻率會(huì)發(fā)生變化，利用這個(gè)特性制成熱敏電阻。
(2)光敏特性：當(dāng)半導(dǎo)體受到光照時(shí)，電阻率會(huì)發(fā)生改變，利用這個(gè)特性制成光敏器件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等。
(3)雜敏特性：當(dāng)在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量的其它雜質(zhì)元素(如磷、硼等)時(shí)，其導(dǎo)電能力會(huì)顯著增加，利用這個(gè)特性制成半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等等。
本征半導(dǎo)體
1.本征半導(dǎo)體
具有晶體結(jié)構(gòu)的純凈半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。最常用的半導(dǎo)體材料為硅(Si)和鍺(Se)。
2.半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)
在硅或鍺的本征半導(dǎo)體中，由于原子排列的整齊和緊密，原來(lái)屬于某個(gè)原子的價(jià)電子，可以和相鄰原子所共有，形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。
3.載流子
在{jd1}零度和未獲得外加能量時(shí)，半導(dǎo)體不具備導(dǎo)電能力。但由于共價(jià)鍵中的電子為原子核最外層電子，在溫度升高或者外界供給能量下最外層電子容易被熱激發(fā)成為自由電子。共價(jià)鍵失去電子后留下的空位稱(chēng)為空穴，電子和空穴成對(duì)出現(xiàn)，稱(chēng)為載流子?？昭▍⑴c導(dǎo)電是半導(dǎo)體導(dǎo)電的特點(diǎn)，也是與導(dǎo)體導(dǎo)電最根本的區(qū)別。
