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外延硅片北京特博萬(wàn)德科技有限公司

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一、硅外延的定義
硅外延工藝實(shí)際上是一種薄層的單晶生長(zhǎng)技術(shù)，它是在一定的條件下，在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結(jié)晶方向生長(zhǎng)一層具有一定導(dǎo)電類型，電阻率、厚度、晶格結(jié)構(gòu)與體單晶一致的新單晶層。
二、硅外延生長(zhǎng)工藝的優(yōu)點(diǎn)
1、生長(zhǎng)溫度比它本身的熔點(diǎn)要低
2、可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層
3、由于摻雜工藝靈活，可以獲得多種結(jié)構(gòu)的單晶或多層外延便于器件參數(shù)結(jié)構(gòu)的調(diào)整

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