銻化鎵

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單晶	摻雜	導(dǎo)電類型	載流子濃度cm-3	位錯(cuò)密度cm-2	生長方法 {zd0}尺寸	標(biāo)準(zhǔn) 基片
GaSb	None None high R Zn Te Te high R	P P- P+ N N	1~2×1017 1~5×1016 1~5×1018 2~6×1017 1~5×1016	＜103	LEC Φ3″	Φ3″×0.5 Φ2″×0.5

Typical Electrical Properties
Dopant available	Te	Zn	Undoped
Type of conductivity	N	P	P
Concentration ( cm -3 )	1E17 - 5E18	2E17 - 4E18	x
Hall Mobility ( cm 2 / v.s. )	2500 - 3500	200 - 500	600 - 700

Standard Specifications
Growth method	LEC
Diameter ( mm )	50.8
Thickness ( um )	500 +/-25 um
Conductivity	Semi-conducting
Orientation	<100> , <111> , <110>
Off orientation	From 2° to 10° off
Flat options	EJ or US SEMI. Std .
Surface finish	One side or two sides polished
EPD ( cm-2)	< 1000 or < 10000
Grade	Epi polished grade , mechanical grade
Package method	Single wafer container with outer foil bag

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