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熱氧化硅片8寸/氧化層硅片/氮化硅層硅片
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可根據(jù)客戶要求定制:以下參數(shù)僅供參考。
1. 氧化層硅:標(biāo)準(zhǔn)SiO2層厚度3000A, 5000A,其它厚度可根據(jù)客戶要求定制
2. 氮化硅片:表面100nm厚度氮化硅SiN層,其他厚度可據(jù)客戶要求定制
3 SOI(Silicon-on-insulator)絕緣硅(頂層單晶硅-絕緣氧化埋層-硅襯底)
可采用鍵合工藝也可采用注氧工藝,同時(shí)可接
受特殊工藝的加工服務(wù),{zd0}的滿足客戶的要求。

質(zhì)量保障:
-- 生產(chǎn)工藝安全按照SEMI標(biāo)準(zhǔn)
-- 每步工藝有嚴(yán)格監(jiān)控
-- 產(chǎn)品質(zhì)量屬于高級級別
-- 批量生產(chǎn)
-- 供貨周期快速,僅需一周
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