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PL-DTS-S  IGBT無感突波吸收電容器(橢圓形)

產(chǎn)品性能說明:

低效串聯(lián)電阻

低等效串聯(lián)電感

可承受非常高的du/dt

額定電壓: 700 to 3000 Vdc    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) GB/T 17702.1 idt IEC 61071-1, GG/T 2693 idt IEC 60384-1
金屬化聚丙烯膜無感卷繞而成
具有立式和臥式二種安裝形式,引出端子直接連接于IGBT模塊,{zd0}限度減小回路電感量
具有低的ESR和高的dv/dt特性
可承受很大的峰-峰值電流IPP和高頻有效值電流Irms
可提供滿足各類IGBT/IGCT等電力電子功率器件所需的系列化產(chǎn)品

應(yīng)用范圍:高xjb,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動、牽引、混合動力車、電磁加熱,中頻感應(yīng)加熱爐,商用電磁爐,大功率電源,高壓機(jī)器設(shè)備,電動汽車,逆變焊機(jī)、太陽能/風(fēng)力發(fā)電等行業(yè)的IGBT突波吸收.
鄭重聲明:產(chǎn)品 【0.1UF/20000V,0.15UF/80000V,0.22UF/1000V,0.47UF/1000V,0.68UF/1100無感吸收電容器】由 東莞市普隆電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.nnfsds.com)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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