二硫化鉬涂層的制備方法很多,主要有物lq相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、化學(xué)鍍等。在過去很長一段時間里, 制備MoS2 薄膜的方法主要是真空等離子濺射技術(shù)。這種方法能嚴格控制薄膜的厚度, 且能提供較好的薄膜性能。但是, 它存在以下缺點:
(1) 它對濺射靶的質(zhì)量要求相當(dāng)嚴格, 一般在生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜之前需要更換一個新靶, 耗費較大;
(2) 相對于特殊形狀的基底需配置相應(yīng)配套的濺射靶, 且為沉積形狀復(fù)雜的薄膜而采用的復(fù)雜的真空設(shè)備及其過程的耗費相當(dāng)大;
(3) 濺射法制備的薄膜較理想的保存方法是硫化處理, 但這會使薄膜表面產(chǎn)生許多小孔, 易受化學(xué)侵蝕, 導(dǎo)致薄膜的性能下降;
(4) 不適合于沉積形狀復(fù)雜、大面積薄膜等。由于存在以上缺點, 所以人們開始尋求一種更好的方法來制備MoS2 薄膜。本文作者采用水煮法、刷鍍法(噴涂法) 和電泳沉積法等3種MoS2 的涂覆方法, 制備了二硫化鉬涂層, 并比較了各種涂層的性能。