SIR 13/SIR 13 mini 絕緣劣化特性評(píng)價(jià)裝置(絕緣測(cè)試設(shè)備)
特性:
能夠完成3種測(cè)試:離子遷移、絕緣電阻、絕緣特性。
所有通道都備有微電流計(jì)、對(duì)微電阻進(jìn)行告訴(40ms/8通道)連續(xù)測(cè)試,準(zhǔn)確撲捉瞬間發(fā)生的離子遷移現(xiàn)象(從發(fā)生到結(jié)束)。
250V測(cè)試基板:8通道/1電源 {zd0}128通道;
500V測(cè)試基板:1通道/1電源 {zd0}64通道;
1000V測(cè)試基板:1通道/1電源 {zd0}64通道;
120V測(cè)試基板:每通道都可以設(shè)定試驗(yàn)條件(加載電壓、電流測(cè)定值)。
可以對(duì)加載電壓和測(cè)定電壓任意設(shè)定,且切換時(shí)不會(huì)發(fā)生漏測(cè)定。
擁有小型的SIR13mini,最多可以裝配3塊SMU測(cè)試基板。
主要技術(shù)規(guī)格:
加載電壓 |
120V 250V 500V 1000V 直流電壓 |
測(cè)試通道 |
250V為16通道/基板(最多128通道)
120V、500V、1000V為8通道/基板(最多64通道) |
離子遷移測(cè)試速度 |
40ms(8通道) |